GaN中的螺钉位错

氮化镓具有一些独特的特性,例如大的带隙,牢固的原子间键和高导热性。在过去的十几年中,由于GaN在高功率和高频电子器件以及蓝色LED器件中的潜在应用,引起了人们极大的兴趣。

GaN层通常通过金属有机化学气相沉积和分子束外延法生长。

尽管晶格和热膨胀系数非常不匹配,但蓝宝石现在仍是最常用的基材。结果是获得的GaN层通常包含大量的缺陷[4],主要是位错。该图显示了一块具有台阶和螺钉位错(孔)的GaN。目标是计算位错和台阶分布的数量。

图像尺寸 11x11 µm, Z-范围 3 nm
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