碳化硅薄膜的生长形态分析 薄膜的质量在很大程度上取决于各种沉积参数以及基材的制备。生长缺陷，杂质和非化学计量相会抑制膜的平滑生长。 该图显示了沉积在硅片上的碳化硅薄膜表面。AFM被用于研究沉积成功与否，以优化薄膜沉积和基板制备工艺。该测量是在"动态力"操作模式下进行的。
